众所周知，LED的有效光辐射（发光度和/或辐射通量）严重受其结温影响（参见图1）。单颗LED封装通常被称为一级LED，而多颗LED芯片装配在同一个金属基板上的LED组件通常被称为二级LED。
当二级LED对光均匀性要求很高时，结温对LED发光效率会产生影响的这个问题将十分突出。当然，可以利用一级LED的电、热、光协同模型来预测二级LED的电学、热学及光学特性，但前提是需要对LED的散热环境进行准确建模。
在这篇文章中，我们将讨论怎样通过实测利用结构函数来获取LED封装的热模型，并将简单描述一下我们用来进行测试的一种新型测试系统。此外，我们还将回顾电——热仿真工具的原理，然后将此原理扩展应用到板级的热仿真以帮助优化封装结构的简化热模型。
在文章的最后，我们将介绍一个应用实例。 建立LED封装的简化热模型 关于半导体封装元器件的简化热模型（CTM）的建立，学术界已经进行了超过10年的讨论。
现在，对于建立封装元器件特别是IC封装的独立于边界条件的稳态简化热模型，大家普遍认同DELPHI近似处理方法。为了研究元器件的瞬态散热性能，我们需要对CTM进行扩展，扩展后的模型称之为瞬态简化热模型（DCTM）。
欧盟通过PROFIT项目制定了建立元器件DCTM的方法，并且同时扩展了热仿真工具的功能以便能够对DCTM模型进行仿真计算。 当CTM应用在特定的边界条件下或者封装元器件自身仅有一条结-环境的热流路径，则可以用NID（热阻网络自定义）方法来对元件进行建模。
直接利用测试结果建立LED封装模型仔细研究一个典型的LED封装及其典型的应用环境（图2），我们会发现，LED芯片产生的热量基本上是通过一条单一的热流路径“芯片-散热块-MCPCB基板”流出LED封装的。 对于稳态建模来说，封装的散热特性可以通过，即结-壳热阻来准确描述，结-壳热阻指的是从LED芯片到其自身封装散热块表面之间的热阻。
对于一级LED来说，此热阻值可用热瞬态测试仪器按照双接触面法进行测试来得到。thJCR 图3和图4所示的是的另外一种测试方法。
这种方法用两步测试完成了对一个二级LED组件的测试工作，这两步的测试条件分别为： thJCR 第一种条件——直接把MCPCB安装到冷板上 第二种条件——在MCPCB与冷板之间添加一层很薄的塑料薄层 由于铜和胶的导热系数不一样，从结构函数曲线上即可方便的读出的值。同时，由于在第二种条件下加入的薄层材料会让测试曲线发生分离，通过分离点即可很方便的分辨出结-板之间的热阻值。
thJCR 如果需要建立LED封装的瞬态热模型，则需要用一条合适的热阻特性曲线来代替固定的热阻值来描述结-壳热流路径的散热特性。从热瞬态测试得出的结构函数可帮助实现瞬态热模型的建立。
积分形式的结构函数即是一个完整的热阻热容网络图，这些热阻热容值准确的描述了结-环境热流路径的散热特性。thJCR 对积分结构函数进行阶梯近似即可得到热流路径上不同物理结构的折算热阻和热容值。
这里提到的基于NID的模型生成方法，是在时间常数上进行的离散化。这种方法已经被成功用于生成堆叠芯片的模型生成。
这种封装中通常会有多条热流路径，当附加在封装表面的边界条件不同时，则不能把生成的阶梯型RC模型认为是独立于边界条件的模型。 对于LED来说，封装内部仅有一条热流路径，则阶梯型RC模型可以作为描述LED封装热性能的一种非常合适的模型。
从LED在不同的实际散热环境下测得的结构函数图形中可以看出，LED的热模型是独立