LED封装方式是以晶粒(Die)经过打线、共晶或覆晶封装技术与其散热基板Submount(次黏着技术)链接而成LED芯片，再将芯片固定于系统板上链接成灯源模块。目前，LED封装方法大致可区分为透镜式(Lens-type)以及反射杯式(Reflector-type)，其中透镜的成型可以是模塑成型(Molding)或透镜黏合成型；如图1(a)所示，而反射杯式芯片则多由混胶、点賿、封装成型；如图1(b)所示。
近年来磊晶、固晶及封装设计逐渐成熟，LED的晶粒尺寸与结构逐年微小化，高功率单颗晶粒功率达1~3W，甚至是3W以上，当LED功率不断提升，对于LED晶粒载版及系统电路版的散热及耐热要求，便日益严苛。 图1(a图1(b) 鉴于绝缘、耐压、散热与耐热等综合考虑，陶瓷基板成为以晶粒次黏着技术的重要材料之一。
其技术可分为厚膜制程(Thickfilm)、低温共烧制程(LTCC)与薄膜制程(DPC)等方式制成。然而，厚膜制程与低温共烧制程，是利用网印技术与高温制程烧结，易产生线路粗糙、对位不精准、与收缩比例问题，若针对线路越来越精细的高功率LED产品，或是要求对位准确的共晶或覆晶制程生产的LED产品而言，厚膜与低温共烧的陶瓷基板，己逐渐不敷使用。
为此，高散热系数薄膜陶瓷散热基板，运用溅镀、电／化学沉积，以及黄光微影制程而成，具备金属线路精准、材料系统稳定等特性，适用于高功率、小尺寸、高亮度的LED的发展趋势，更是解决了共晶／覆晶封装制程对陶瓷基板金属线路分辨率与精确度的严苛要求。薄膜陶瓷COB(ChipOn Board)散热基板可以符合不同照明需求。
当LED晶粒以陶瓷作为载板时，此LED模块的散热瓶颈则转至系统电路板，其将热能由LED芯片传至散热鳍片及大气中，随着LED晶粒功能的逐渐提升，材料亦逐渐由FR4转变至金属芯印刷电路基板(MCPCB)，但随着高功率LED的需求进展，MCPCB材质的散热系数(2~4W/mk)无法用于更高功率的产品，为此，陶瓷电路板(Ceramiccircuit board)的需求便逐渐普及。为确保LED产品在高功率运作下的材料稳定性与光衰稳定性，以陶瓷作为散热及金属布线基板的趋势已日渐明朗。
陶瓷材料目前成本高于MCPCB，因此，如何利用陶瓷高散热系数特性下，节省材料使用面积以降低生产成本，成为陶瓷LED发展的重要指标。因此，近年来，以陶瓷材料COB设计整合多晶封装与系统线路亦逐渐受到各封装与系统厂商重视。
COB在电子制造业里并不是新技术，是指直接将裸晶圆黏贴在电路板上，并将导线／焊线直接焊接在PCB的