摘 要： 在此基于SMIC 0.18 μm CMOS工艺，设计一种高精度低温漂的低压基准电压源。该基准源的供电电源电压为1.8 V， 输出电压为1.0 V，电路的总电流小于5 μA。在-40～80 ℃范围内的温度系数为5.7 ppm/℃。当频率在100 kHz以内时，电源抑制比始终保持在-75 dB以下。该基准电压源具有低功耗、低温度系数、高电源抑制的特性，能够很好地应用于低压供电的集成电路设计中。
关键词： 电压基准源； 带隙基准源； 温度系数； 电源抑制比
3 结 语
本文基于SMIC 0.18 μm工艺设计了一种高精度、低压低功耗、低温度系数的电压基准源。由仿真结果可以看出本文设计的带隙基准源的电源抑制比（PSRR）、温度系数、总电流和输出电压和电源电压等各项指标均能满足设计要求。
参考文献
[1] THAM Khong?Meng， NAGARAJ Krishnaswamy. A low supply voltage high psrr voltage reference in CMOS process [J]. IEEE Journal of Solid?State Circuits， 1995， 30（5）： 586?590.
[3] LEUNG K N， MOK P K. T. A CMOS voltage reference based on weighted VGS for CMOS low?dropout linear regulators [J]. IEEE Journal of Solid?State Circuite， 2003， 38（1）： 146?150.
